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資料種別 記事・論文

3次元型トランジスタFinFETを用いたDTMOS(FinFET型DTMOS)によるシステムLSIの高密度設計法--パターン面積の縮小効果の見積もり

廣島 佑,渡辺 重佳,岡本 恵介 他

詳細情報

タイトル 3次元型トランジスタFinFETを用いたDTMOS(FinFET型DTMOS)によるシステムLSIの高密度設計法--パターン面積の縮小効果の見積もり
著者 廣島 佑
著者 渡辺 重佳
著者 岡本 恵介 他
シリーズ名 集積回路
出版年 2007-08
別タイトル Design method of high density system LSI with three-dimensional FinFET type DTMOS: reduction of pattern area
件名(キーワード) FinFET
件名(キーワード) DTMOS
件名(キーワード) FinFET型DTMOS
件名(キーワード) システムLSI
件名(キーワード) 側壁チャネル幅
件名(キーワード) FinFET type DTMOS
件名(キーワード) system LSI
件名(キーワード) sidewall channel width
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 107
掲載号 195
掲載ページ 125~130
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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