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資料種別 記事・論文

3次元型トランジスタFinFETによるLSIの高密度設計法--CMOSセルライブラリを用いたパターン面積の縮小効果の検討

岡本 恵介,小泉 圭輔,廣島 佑 他

詳細情報

タイトル 3次元型トランジスタFinFETによるLSIの高密度設計法--CMOSセルライブラリを用いたパターン面積の縮小効果の検討
著者 岡本 恵介
著者 小泉 圭輔
著者 廣島 佑 他
シリーズ名 集積回路
出版年 2007-08
別タイトル Design of high density LSI with three-dimensional transistor FinFET: effect of pattern area reduction with CMOS cell library
件名(キーワード) システムLSI
件名(キーワード) 3次元型トランジスタ
件名(キーワード) FinFET
件名(キーワード) チャネル幅
件名(キーワード) 側壁チャネル幅
件名(キーワード) セルライブラリ
件名(キーワード) system LSI
件名(キーワード) Three-Dimensional Transistor
件名(キーワード) channel width
件名(キーワード) sidewall channel width
件名(キーワード) cell library
件名(キーワード) TIS
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 107
掲載号 195
掲載ページ 119~124
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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