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資料種別 記事・論文

ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性

小野田 裕之,宮下 桂,中山 武雄 他

詳細情報

タイトル ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性
著者 小野田 裕之
著者 宮下 桂
著者 中山 武雄 他
シリーズ名 シリコン材料・デバイス
出版年 2007-08
別タイトル 0.7V SRAM technology with stress-enhanced dopant segregated Schottky (DSS) source/drain transistors for 32nm node
件名(キーワード) DSS
件名(キーワード) Schottky
件名(キーワード) SRAM
件名(キーワード) 32nm
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 107
掲載号 194
掲載ページ 131~134
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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