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資料種別 記事・論文

Correlation between Defect Concentration and Carrier Lifetime of GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy at Different Temperatures

Gong-Ru Lin,Tze-An Liu,Ci-Ling Pan

詳細情報

タイトル Correlation between Defect Concentration and Carrier Lifetime of GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy at Different Temperatures
著者 Gong-Ru Lin
著者 Tze-An Liu
著者 Ci-Ling Pan
出版年 2001-11
件名(キーワード) ultrafast
件名(キーワード) LT-GaAs
件名(キーワード) carrier lifetime
件名(キーワード) defect
件名(キーワード) MBE
件名(キーワード) photo-reflectivity
件名(キーワード) pump-probe
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 00214922
掲載誌情報(ISSNL形式) 00214922
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000159719-00
掲載誌名 Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
掲載巻 40
掲載号 11
掲載通号 548
掲載ページ 6239~6242
言語(ISO639-2形式) eng : English

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