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資料種別 記事・論文

Influence of Growth Temperature and Thickness of AlGaN Caps on Electron Transport in AlGaN/GaN Heterostructures Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

Christopher R. Elsass,Christiane Poblenz,Ben Heying 他

詳細情報

タイトル Influence of Growth Temperature and Thickness of AlGaN Caps on Electron Transport in AlGaN/GaN Heterostructures Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy
著者 Christopher R. Elsass
著者 Christiane Poblenz
著者 Ben Heying 他
出版年 2001-11
件名(キーワード) gallium nitride
件名(キーワード) aluminum gallium nitride
件名(キーワード) heterostructure
件名(キーワード) nitrides
件名(キーワード) mobility
件名(キーワード) transport
件名(キーワード) molecular beam epitaxy
件名(キーワード) 2DEG
件名(キーワード) sapphire
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 00214922
掲載誌情報(ISSNL形式) 00214922
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000159719-00
掲載誌名 Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
掲載巻 40
掲載号 11
掲載通号 548
掲載ページ 6235~6238
言語(ISO639-2形式) eng : English

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