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資料種別 記事・論文

Oxygen-Related Defects Introduced by As〔+〕-Implantation through Cap Layers in Si Probed by Monoenergetic Positron Beams

Akira Uedono,Makoto Muramatsu,Tomohiro Ubukata 他

詳細情報

タイトル Oxygen-Related Defects Introduced by As〔+〕-Implantation through Cap Layers in Si Probed by Monoenergetic Positron Beams
著者 Akira Uedono
著者 Makoto Muramatsu
著者 Tomohiro Ubukata 他
出版年 2000-11
件名(キーワード) ion implantation
件名(キーワード) oxygen
件名(キーワード) defect
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 00214922
掲載誌情報(ISSNL形式) 00214922
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000159719-00
掲載誌名 Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
掲載巻 39
掲載号 11
掲載通号 529
掲載ページ 6126~6129
言語(ISO639-2形式) eng : English

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