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資料種別 記事・論文

SiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法がHBT特性に与える影響の検討

清田 幸弘,小田 克矢,大植 栄司 他

詳細情報

タイトル SiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法がHBT特性に与える影響の検討
著者 清田 幸弘
著者 小田 克矢
著者 大植 栄司 他
出版年 2000-10-20
件名(キーワード) UHVCVD
件名(キーワード) H2アニール
件名(キーワード) Hydrogen annealing
件名(キーワード) SiGe selective epitaxial growth
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 100
掲載号 374
掲載ページ 39~43
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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