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資料種別 記事・論文

A New Poly-Si TFT Employing Air-Cavities at the Edge of Gate Oxide Reducing Gate Induced Drain Leakage Current

Min-Cheol Lee,Min-Koo Han

詳細情報

タイトル A New Poly-Si TFT Employing Air-Cavities at the Edge of Gate Oxide Reducing Gate Induced Drain Leakage Current
著者 Min-Cheol Lee
著者 Min-Koo Han
シリーズ名 ASID'00
出版年 2000-10-20
件名(キーワード) air-cavity
件名(キーワード) vertical electric field
件名(キーワード) selectively doped region
件名(キーワード) lateral electric field
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 100
掲載号 356
掲載ページ 129~134
言語(ISO639-2形式) eng : English

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