RF-MBE法によるSiC基板上GaN成長における水素添加効果

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RF-MBE法によるSiC基板上GaN成長における水素添加効果

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
5567784
資料種別
記事
著者
寺口 信明ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2000-10-19
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 100(369) 2000.10.19
掲載ページ
p.7~12
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
寺口 信明
鈴木 彰
荒木 努 他
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
100(369) 2000.10.19
掲載巻
100
掲載号
369
掲載ページ
7~12
掲載年月日(W3CDTF)
2000-10-19