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資料種別 記事・論文

Improving read disturb characteristics by using double common source line and dummy switch architecture in multi level cell NAND flash memory with low power consumption

Myounggon Kang,Ki-Tae Park,Youngsun Song 他

詳細情報

タイトル Improving read disturb characteristics by using double common source line and dummy switch architecture in multi level cell NAND flash memory with low power consumption
著者 Myounggon Kang
著者 Ki-Tae Park
著者 Youngsun Song 他
シリーズ名 Special issue: Solid state devices and materials
出版地(国名コード) JP
出版年(W3CDTF) 2011-04
NDLC ZM35
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000009262265-00
掲載誌情報(ISSN形式) 00214922
掲載誌情報(ISSN-L形式) 00214922
掲載誌名 Japanese journal of applied physics : JJAP
掲載巻 50
掲載巻 2
掲載号 4
掲載ページ 04DD03-1~4
言語(ISO639-2形式) eng : English

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