記事・論文
タイトル | Advantage of plasma doping for source/drain extension in bulk fin field effect transistor |
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著者 | Takashi Izumida |
著者 | Kimitoshi Okano |
著者 | Takahisa Kanemura 他 |
シリーズ名 | Special issue: Solid state devices and materials |
出版年 | 2011-04 |
対象利用者 | 一般 |
資料の種別 | 記事・論文 |
掲載誌情報(ISSN形式) | 00214922 |
掲載誌情報(ISSNL形式) | 00214922 |
掲載誌情報(URI形式) | http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000009262265-00 |
掲載誌名 | Japanese journal of applied physics : JJAP |
掲載巻 | 50 |
掲載巻 | 2 |
掲載号 | 4 |
掲載ページ | 04DC15-1~6 |
言語(ISO639-2形式) | eng : English |