記事・論文
| タイトル | Advantage of plasma doping for source/drain extension in bulk fin field effect transistor |
|---|---|
| 著者 | Takashi Izumida |
| 著者 | Kimitoshi Okano |
| 著者 | Takahisa Kanemura 他 |
| シリーズ名 | Special issue: Solid state devices and materials |
| 出版年 | 2011-04 |
| 対象利用者 | 一般 |
| 資料の種別 | 記事・論文 |
| 掲載誌情報（ISSN形式） | 00214922 |
| 掲載誌情報（ISSNL形式） | 00214922 |
| 掲載誌情報（URI形式） | http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000009262265-00 |
| 掲載誌名 | Japanese journal of applied physics : JJAP |
| 掲載巻 | 50 |
| 掲載巻 | 2 |
| 掲載号 | 4 |
| 掲載ページ | 04DC15-1～6 |
| 言語（ISO639-2形式） | eng : English |
