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雑誌Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号50(4-1)-50(4-2):2011.4
記事Origin of ...

Origin of crossover in current density-voltage characteristics of Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cell fabricated using lift-off process

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Origin of crossover in current density-voltage characteristics of Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cell fabricated using lift-off process

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
11075286
資料種別
記事
著者
Yasuhiro Abeほか
出版者
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版年
2011-04
資料形態
紙
掲載誌名
Japanese journal of applied physics : JJAP 50(4) (1) 2011.4
掲載ページ
p.040201-1～3
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紙

資料種別
記事
タイトル
Origin of crossover in current density-voltage characteristics of Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cell fabricated using lift-off process
著者・編者
Yasuhiro Abe
Takashi Minemoto
Hideyuki Takakura
著者標目
Yasuhiro Abe
Takashi Minemoto
Hideyuki Takakura
タイトル（掲載誌）
Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）
50(4) (1) 2011.4
掲載巻
50
掲載号
4
その他巻次
1
掲載ページ
040201-1～3