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資料種別 記事・論文

Effect of Al concentration in AlGaAs oxide mask pattern on faceting kinetics during selective area growth of GaAs by molecular beam epitaxy

Kazuhiro Matsuda,Shota Hayashi,Shoji Ushio 他

詳細情報

タイトル Effect of Al concentration in AlGaAs oxide mask pattern on faceting kinetics during selective area growth of GaAs by molecular beam epitaxy
著者 Kazuhiro Matsuda
著者 Shota Hayashi
著者 Shoji Ushio 他
出版年 2011-04
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 18820778
掲載誌情報(ISSNL形式) 18820778
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000008533915-00
掲載誌名 Applied physics express : APEX
掲載巻 4
掲載号 4
掲載ページ 045601-1~3
言語(ISO639-2形式) eng : English

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