二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析 (集積回路)

記事を表すアイコン

二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析

(集積回路)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
11069711
資料種別
記事
著者
田中 隼人ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2011-04
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111(6) 2011.4.18・19
掲載ページ
p.111~116
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
田中 隼人
木下 健太郎
岸田 悟
シリーズタイトル
並列タイトル等
Analyses on co-relation between low and high resistance states in ReRAM consisting of binary-transition-metal-oxides
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
111(6) 2011.4.18・19
掲載巻
111
掲載号
6