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資料種別 記事・論文

二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析

田中 隼人,木下 健太郎,岸田 悟

詳細情報

タイトル 二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析
著者 田中 隼人
著者 木下 健太郎
著者 岸田 悟
シリーズ名 集積回路
出版地(国名コード) JP
別タイトル Analyses on co-relation between low and high resistance states in ReRAM consisting of binary-transition-metal-oxides
出版年(W3CDTF) 2011-04
件名(キーワード) 抵抗変化メモリ
件名(キーワード) NiO
件名(キーワード) 絶縁破壊
件名(キーワード) 酸素欠損
件名(キーワード) ばらつき
件名(キーワード) サイズ依存
件名(キーワード) Resistance Random Access Memory
件名(キーワード) ReRAM
件名(キーワード) breakdown
件名(キーワード) oxygen defect
件名(キーワード) dispersion
件名(キーワード) size dependence
NDLC ZN33
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSN-L形式) 09135685
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 111
掲載号 6
掲載ページ 111~116
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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