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資料種別 記事・論文

局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制

宮地 幸祐,本田 健太郎,田中丸 周平 他

詳細情報

タイトル 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制
著者 宮地 幸祐
著者 本田 健太郎
著者 田中丸 周平 他
シリーズ名 集積回路
出版年 2011-04
別タイトル Suppress of half select disturb in 8T-SRAM by local injected electron asymmetric pass gate transistor
件名(キーワード) SRAM
件名(キーワード) 8T-SRAM
件名(キーワード) 局所電子注入
件名(キーワード) ハーフセレクトディスターブ
件名(キーワード) local electron injection
件名(キーワード) half select disturb
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 111
掲載号 6
掲載ページ 71~76
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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