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資料種別 記事・論文

依頼講演 サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイム バルクCMOS 8T SRAM

鈴木 利一,森脇 真一,川澄 篤 他

詳細情報

タイトル 依頼講演 サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイム バルクCMOS 8T SRAM
著者 鈴木 利一
著者 森脇 真一
著者 川澄 篤 他
シリーズ名 集積回路
出版年 2011-04
別タイトル 0.5V, 5.5-nsec access time, bulk-CMOS 8T SRAM with suspended bit-line read scheme
件名(キーワード) SRAM
件名(キーワード) メモリセル
件名(キーワード) 低電圧
件名(キーワード) 高速
件名(キーワード) 読出し回路
件名(キーワード) Memory cell
件名(キーワード) Low voltage
件名(キーワード) High speed
件名(キーワード) Read circuit
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 111
掲載号 6
掲載ページ 65~70
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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