記事・論文
| タイトル | GaN及びAlGaNへのSi[+]イオン注入に関する研究 |
|---|---|
| 著者 | 豊田 裕輝 |
| 著者 | 中村 徹 |
| 出版地（国名コード） | JP |
| 出版年(W3CDTF) | 2009 |
| 件名（キーワード） | GaN |
| 件名（キーワード） | AlGaN/GaN |
| 件名（キーワード） | ion-implantation |
| NDLC | ZM35 |
| 対象利用者 | 一般 |
| 資料の種別 | 記事・論文 |
| 掲載誌情報（URI形式） | http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000036034-00 |
| 掲載誌情報（ISSN形式） | 02860201 |
| 掲載誌情報（ISSN-L形式） | 02860201 |
| 掲載誌名 | 法政大学イオンビーム工学研究所報告 |
| 掲載号 | 30 |
| 掲載ページ | 21～23 |
| 言語（ISO639-2形式） | jpn : 日本語 |
