Channel dopant distribution in metal-oxide-semiconductor field-effect transistors analyzed by laser-assisted atom probe tomography

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資料種別: 記事
タイトル: Channel dopant distribution in metal-oxide-semiconductor field-effect transistors analyzed by laser-assisted atom probe tomography
著者・編者: Hisashi Takamizawa
Koji Inoue
Yasuo Shimizu 他
著者標目: Hisashi Takamizawa
Koji Inoue
Yasuo Shimizu
タイトル（掲載誌）: Applied physics express : APEX
巻号年月日等（掲載誌）: 4(3) 2011.3
掲載巻: 4
掲載号: 3
掲載ページ: 036601-1～3
掲載年月日（W3CDTF）: 2011-03
ISSN（掲載誌）: 1882-0778
ISSN-L（掲載誌）: 1882-0778
出版事項（掲載誌）: Tokyo : Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z78-A526
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 11054168
http://id.ndl.go.jp/bib/11054168
整理区分コード: 632