奨励講演 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)

記事を表すアイコン

奨励講演 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ

(レーザ・量子エレクトロニクス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
10937548
資料種別
記事
著者
植竹 理人ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2010-12-17
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110(353) 2010.12.17
掲載ページ
p.27~32
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
植竹 理人
大坪 孝二
松田 学 他
並列タイトル等
Encouragement talk: AlGaInAs semi-insulating buried-heterostructure (SI-BH) distributed-reflector (DR) lasers for low-driving-current 40-Gbps direct modulation
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
110(353) 2010.12.17
掲載巻
110
掲載号
353