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資料種別 記事・論文

奨励講演 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ

植竹 理人,大坪 孝二,松田 学 他

詳細情報

タイトル 奨励講演 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ
著者 植竹 理人
著者 大坪 孝二
著者 松田 学 他
シリーズ名 レーザ・量子エレクトロニクス
出版年 2010-12-17
別タイトル Encouragement talk: AlGaInAs semi-insulating buried-heterostructure (SI-BH) distributed-reflector (DR) lasers for low-driving-current 40-Gbps direct modulation
件名(キーワード) 波長1.3μm
件名(キーワード) 波長1.55μm
件名(キーワード) AlGaInAs歪量子井戸
件名(キーワード) 高抵抗埋め込み
件名(キーワード) 直接変調レーザ
件名(キーワード) 40Gbps
件名(キーワード) 緩和振動周波数
件名(キーワード) 1.3-μm
件名(キーワード) 1.55-μm
件名(キーワード) AlGaInAs multiple-quantum-well
件名(キーワード) semi-insulating buried-heterostructure
件名(キーワード) directly-modulated lasers
件名(キーワード) 40-Gbps
件名(キーワード) relaxation oscillation frequency
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 110
掲載号 353
掲載ページ 27~32
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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