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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号110(342) 2010.12.16・17
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ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 (電子デバイス)

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ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算

(電子デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
10936926
資料種別
記事
著者
遠藤 聡ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2010-12
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110(342) 2010.12.16・17
掲載ページ
p.59～64
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紙

資料種別
記事
タイトル
ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算
著者・編者
遠藤 聡
渡邊 一世
三村 高志
シリーズタイトル
電子デバイス
著者標目
遠藤 聡
渡邊 一世
三村 高志
並列タイトル等
Monte Carlo simulations of nanogate In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As composite channel HEMTs
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
110(342) 2010.12.16・17
掲載巻
110
掲載号
342