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資料種別 記事・論文

ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算

遠藤 聡,渡邊 一世,三村 高志

詳細情報

タイトル ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算
著者 遠藤 聡
著者 渡邊 一世
著者 三村 高志
シリーズ名 電子デバイス
出版年 2010-12
別タイトル Monte Carlo simulations of nanogate In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As composite channel HEMTs
件名(キーワード) InP系HEMT
件名(キーワード) In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As
件名(キーワード) コンポジットチャネル
件名(キーワード) モンテカルロシミュレーション
件名(キーワード) ドレイン電流
件名(キーワード) 相互コンダクタンス
件名(キーワード) 遮断周波数
件名(キーワード) 電子速度
件名(キーワード) In-based HEMTs
件名(キーワード) Composite channel
件名(キーワード) Monte Carlo simulations
件名(キーワード) Drain-source current
件名(キーワード) Transconductance
件名(キーワード) Cutoff frequency
件名(キーワード) Electron velocity
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 110
掲載号 342
掲載ページ 59~64
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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