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資料種別 記事・論文

3族窒化物/SiCヘテロ界面を用いたワイドギャップ半導体デバイス

須田 淳,三宅 裕樹,木本 恒暢

詳細情報

タイトル 3族窒化物/SiCヘテロ界面を用いたワイドギャップ半導体デバイス
著者 須田 淳
著者 三宅 裕樹
著者 木本 恒暢
シリーズ名 特集 新ヘテロ界面の実現に向けた半導体結晶成長技術の進展
出版年 2010-12
別タイトル Wide-bandgap semiconductor devices using group-3 nitride/SiC heterointerface
件名(キーワード) group-3 nitride
件名(キーワード) SiC
件名(キーワード) heterovalent interface
件名(キーワード) heterojunction bipolar transistor
件名(キーワード) molecular-beam epitaxy
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 03885321
掲載誌情報(ISSNL形式) 03885321
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000033734-00
掲載誌名 表面科学 / 日本表面科学会 編
掲載巻 31
掲載号 12
掲載ページ 651~656
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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