極薄Si酸化膜を用い...

極薄Si酸化膜を用いたエピタキシャル量子ドット二次元ナノ配列構造の自己組織化と自己修復 (特集 新ヘテロ界面の実現に向けた半導体結晶成長技術の進展)

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極薄Si酸化膜を用いたエピタキシャル量子ドット二次元ナノ配列構造の自己組織化と自己修復(特集 新ヘテロ界面の実現に向けた半導体結晶成長技術の進展)

国立国会図書館請求記号
Z15-379
国立国会図書館書誌ID
10934828
資料種別
記事
著者
中村 芳明ほか
出版者
東京 : 日本表面科学会
出版年
2010-12
資料形態
掲載誌名
表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編 31(12) 2010.12
掲載ページ
p.626~631
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
中村 芳明
村山 昭之
渡邉 亮子 他
並列タイトル等
Self-organization and self-repair of a two-dimensional nanoarray of Ge quantum dots epitaxially grown on Si substrates using ultrathin SiO2 films
タイトル(掲載誌)
表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編
巻号年月日等(掲載誌)
31(12) 2010.12
掲載巻
31
掲載号
12