サイトメニューここからこのページの先頭です

ショートカットキーの説明を開始します。画面遷移や機能実行は、説明にあるショートカットキーを同時に押した後、Enterキーを押してください。ショートカットキーの説明を聞くには、Alt+0。トップ画面の表示には、Alt+1。ログインを行うには、Alt+2。簡易検索画面の表示には、Alt+3。詳細検索画面の表示には、Alt+4。障害者向け資料検索画面の表示には、Alt+5。検索結果の並び替えを行うには、Alt+6。国立国会図書館ホームページの表示には、Alt+7。検索結果の絞り込みを行うには、Alt+8。以上でショートカットキーの説明を終わります。

ナビゲーションここから

ナビゲーションここまで

本文ここから

資料種別 記事・論文

メモリー階層構造の変化と不揮発性ロジックへの新展開

遠藤 哲郎

詳細情報

タイトル メモリー階層構造の変化と不揮発性ロジックへの新展開
著者 遠藤 哲郎
シリーズ名 メモリーデバイス研究の最前線
出版年 2010-12
別タイトル Restructuring of memory layer in electrical system and its novel evolution based on nonvolatile logic
件名(キーワード) vertical MOSFET
件名(キーワード) stacked memory
件名(キーワード) nonvolatile memory
件名(キーワード) spintronics memory
件名(キーワード) spin torque transfer RAM
件名(キーワード) STT-RAM
件名(キーワード) nonvolatile logic
件名(キーワード) nonvolatile computer
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 03698009
掲載誌情報(ISSNL形式) 03698009
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000002415-00
掲載誌名 応用物理
掲載巻 79
掲載号 12
掲載ページ 1093~1097
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

本文ここまで

Copyright © 2012 National Diet Library. All Rights Reserved.

フッター ここまで