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資料種別 記事・論文

Hole-mobility and drive-current enhancement in Ge-rich strained silicon-germanium wire tri-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with nickel-germanosilicide metal source and drain

Keiji Ikeda,Minoru Oda,Yuuichi Kamimuta 他

詳細情報

タイトル Hole-mobility and drive-current enhancement in Ge-rich strained silicon-germanium wire tri-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with nickel-germanosilicide metal source and drain
著者 Keiji Ikeda
著者 Minoru Oda
著者 Yuuichi Kamimuta 他
出版年 2010-12
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 18820778
掲載誌情報(ISSNL形式) 18820778
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000008533915-00
掲載誌名 Applied physics express : APEX
掲載巻 3
掲載号 12
掲載ページ 124201-1~3
言語(ISO639-2形式) eng : English

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