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資料種別 記事・論文

携帯電話基地局用窒化ガリウム電力増幅器(GaN HEMT)の開発

井上 和孝,佐野 征吾,舘野 泰範 他

詳細情報

タイトル 携帯電話基地局用窒化ガリウム電力増幅器(GaN HEMT)の開発
著者 井上 和孝
著者 佐野 征吾
著者 舘野 泰範 他
出版地(国名コード) JP
別タイトル Development of gallium nitride high electron mobility transistor for cellular base stations
出版年(W3CDTF) 2010-07
件名(キーワード) GaN
件名(キーワード) HEMT
件名(キーワード) wireless
件名(キーワード) cellular
件名(キーワード) amplifier
件名(キーワード) efficiency
件名(キーワード) WiMAX
件名(キーワード) LTE
NDLC ZN31
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000102627-00
掲載誌情報(ISSN形式) 13434330
掲載誌情報(ISSN-L形式) 13434330
掲載誌名 SEIテクニカルレビュー
掲載号 177
掲載ページ 97~102
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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