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資料種別 記事・論文

AlN基板を用いたAlGaNチャネルHEMTエピの開発

橋本 信,秋田 勝史,田辺 達也 他

詳細情報

タイトル AlN基板を用いたAlGaNチャネルHEMTエピの開発
著者 橋本 信
著者 秋田 勝史
著者 田辺 達也 他
出版年 2010-07
別タイトル Epitaxial layers of AlGaN channel high electron mobility transistors on AlN substrates
件名(キーワード) HEMT
件名(キーワード) AlN
件名(キーワード) AlGaN
件名(キーワード) dislocation
件名(キーワード) AlGaN channel HEMTs
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 13434330
掲載誌情報(ISSNL形式) 13434330
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000102627-00
掲載誌名 SEIテクニカルレビュー
掲載号 177
掲載ページ 92~96
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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