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資料種別 記事・論文

Si(111),(110),(100)基板上3C-SiC薄膜の熱改質によるグラフェン・オン・シリコン形成

半田 浩之,宮本 優,齋藤 英司 他

詳細情報

タイトル Si(111),(110),(100)基板上3C-SiC薄膜の熱改質によるグラフェン・オン・シリコン形成
著者 半田 浩之
著者 宮本 優
著者 齋藤 英司 他
シリーズ名 第29回表面科学学術講演会特集号(1)
出版年 2010-07
別タイトル Graphene-on-Silicon formation by thermal conversion of 3C-SiC thin films on Si(111), (110), (100) substrates
件名(キーワード) graphene
件名(キーワード) Si
件名(キーワード) 3C-SiC
件名(キーワード) organosilane
件名(キーワード) gas-source MBE
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 03885321
掲載誌情報(ISSNL形式) 03885321
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000033734-00
掲載誌名 表面科学 / 日本表面科学会 編
掲載巻 31
掲載号 7
掲載ページ 352~358
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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