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資料種別 記事・論文

ペロブスカイト酸化物への水素イオン導入によって誘起される抵抗スイッチング効果の発現機構

花田 明紘,三浦 寛基,野津 武志 他

詳細情報

タイトル ペロブスカイト酸化物への水素イオン導入によって誘起される抵抗スイッチング効果の発現機構
著者 花田 明紘
著者 三浦 寛基
著者 野津 武志 他
シリーズ名 第33回表面科学学術講演会特集号(1)
出版地(国名コード) JP
別タイトル Generation Mechanism of Resistive Switching Effect Induced by Introduction of Hydrogen Ions into Perovskite-Type Oxide
出版年(W3CDTF) 2014-07
件名(キーワード) ReRAM
件名(キーワード) XANES
件名(キーワード) Bi₂Sr₂CaCu₂O₈₊δ(Bi-2212) single crystal
件名(キーワード) switching mechanism
件名(キーワード) hydrogen
NDLC ZM35
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000033734-00
掲載誌情報(ISSN形式) 03885321
掲載誌情報(ISSN-L形式) 03885321
掲載誌名 表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編
掲載巻 35
掲載号 7
掲載ページ 356-360
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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