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資料種別 記事・論文

アンモニアガスを用いた液相成長法によるGaN薄膜の成長 : 成長原理、新成長装置作製に関して

成塚 重弥,風間 正志,山内 洋哉 他

詳細情報

タイトル アンモニアガスを用いた液相成長法によるGaN薄膜の成長 : 成長原理、新成長装置作製に関して
著者 成塚 重弥
著者 風間 正志
著者 山内 洋哉 他
出版地(国名コード) JP
別タイトル Liquid Phase Epitaxy of GaN Thin Layer using Ammonia : Principle of LPE Growth and Preparation of New Growth Equipment
出版年(W3CDTF) 2011
NDLC ZM2
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000100104-00
掲載誌情報(ISSN形式) 13448099
掲載誌情報(ISSN-L形式) 13448099
掲載誌名 名城大学総合研究所紀要 / 名城大学総合研究所 編
掲載号 16
掲載ページ 125-128
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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