SiC表面分解法によ...

SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における結晶性改善の試み : 昇温速度制御の効果

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SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における結晶性改善の試み : 昇温速度制御の効果

国立国会図書館請求記号
Z14-B424
国立国会図書館書誌ID
025627956
資料種別
記事
著者
石黒 祐樹ほか
出版者
名古屋 : 名城大学総合研究所
出版年
2012
資料形態
掲載誌名
名城大学総合研究所紀要 = Bulletin of Research Institute of Meijo University / 名城大学総合研究所 編 (17):2012
掲載ページ
p.141-144
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
石黒 祐樹
成塚 重弥
丸山 隆浩
並列タイトル等
Improvement of Crystallinity of Carbon Nanotube Films grown by Surface Decomposition of SiC : Effect of rate of temperature increase
タイトル(掲載誌)
名城大学総合研究所紀要 = Bulletin of Research Institute of Meijo University / 名城大学総合研究所 編
巻号年月日等(掲載誌)
(17):2012
掲載号
17
掲載ページ
141-144
掲載年月日(W3CDTF)
2012