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資料種別 記事・論文

超高感度窒化物半導体Photo-HFET

石黒 真未,岩谷 素顕,竹内 哲也 他

詳細情報

タイトル 超高感度窒化物半導体Photo-HFET
著者 石黒 真未
著者 岩谷 素顕
著者 竹内 哲也 他
出版地(国名コード) JP
別タイトル High sensitivity extremely nitride-based hetero-field-effect-transistor-type photosensors
出版年(W3CDTF) 2013
件名(キーワード) 窒化物半導体
件名(キーワード) 光センサー
件名(キーワード) HFET
件名(キーワード) GaInN
件名(キーワード) 受光感度
件名(キーワード) nitride
件名(キーワード) Photosensor
件名(キーワード) photosensitivity
NDLC ZM2
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000100104-00
掲載誌情報(ISSN形式) 13448099
掲載誌情報(ISSN-L形式) 13448099
掲載誌名 名城大学総合研究所紀要 / 名城大学総合研究所 編
掲載号 18
掲載ページ 125-129
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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