創案と開発 オージェ...

創案と開発 オージェ電子-光電子コインシデンス分光によるシリコン単結晶表面および酸化シリコン超薄膜の局所電子状態の研究

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創案と開発 オージェ電子-光電子コインシデンス分光によるシリコン単結晶表面および酸化シリコン超薄膜の局所電子状態の研究

国立国会図書館請求記号
Z17-729
国立国会図書館書誌ID
025622256
資料種別
記事
著者
垣内 拓大ほか
出版者
東京 : 日本分析化学会
出版年
2014-07
資料形態
掲載誌名
ぶんせき / 日本分析化学会 編 2014(7)=475:2014.7
掲載ページ
p.374-380
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
垣内 拓大
間瀬 一彦
長岡 伸一
並列タイトル等
Study of Local Valence Electronic States of Clean Si Surfaces and Ultrathin SiO₂ Films Grown on Si by Using Auger-Photoelectron Coincidence Spectroscopy
タイトル(掲載誌)
ぶんせき / 日本分析化学会 編
巻号年月日等(掲載誌)
2014(7)=475:2014.7
掲載巻
2014
掲載号
7
掲載通号
475