Effect of Gas Flow Rate on the High-Rate, Localized Jet-Deposition of Silicon in SiH₄/H₂ PE-CVD

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Effect of Gas Flow Rate on the High-Rate, Localized Jet-Deposition of Silicon in SiH₄/H₂ PE-CVD

国立国会図書館請求記号
Z53-R395
国立国会図書館書誌ID
025602233
資料種別
記事
著者
Satoshi NISHIDAほか
出版者
Tokyo : Society of Chemical Engineers
出版年
2014-07
資料形態
掲載誌名
Journal of chemical engineering of Japan 47(4-7):2014.7
掲載ページ
p.478-482
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Satoshi NISHIDA
Hiroshi MUTA
Shizuma KURIBAYASHI
タイトル(掲載誌)
Journal of chemical engineering of Japan
巻号年月日等(掲載誌)
47(4-7):2014.7
掲載巻
47
掲載号
4-7
掲載ページ
478-482
掲載年月日(W3CDTF)
2014-07