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資料種別 記事・論文

Effect of Gas Flow Rate on the High-Rate, Localized Jet-Deposition of Silicon in SiH₄/H₂ PE-CVD

Satoshi NISHIDA,Hiroshi MUTA,Shizuma KURIBAYASHI

詳細情報

タイトル Effect of Gas Flow Rate on the High-Rate, Localized Jet-Deposition of Silicon in SiH₄/H₂ PE-CVD
著者 Satoshi NISHIDA
著者 Hiroshi MUTA
著者 Shizuma KURIBAYASHI
出版地(国名コード) JP
出版年(W3CDTF) 2014-07
件名(キーワード) CVD
件名(キーワード) Supersonic Jet
件名(キーワード) CFD
件名(キーワード) Silicon Deposition
件名(キーワード) High Deposition Rate
NDLC ZP1
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000128548-00
掲載誌情報(ISSN形式) 00219592
掲載誌情報(ISSN-L形式) 00219592
掲載誌名 Journal of chemical engineering of Japan
掲載巻 47
掲載号 4-7
掲載ページ 478-482
言語(ISO639-2形式) eng : English

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