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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号113(416)-113(420):2014.1.28-2014.1.29
記事3D Integra...

3D Integrated CMOS Device by Using Wafer Stacking and Via-last TSV (シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

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3D Integrated CMOS Device by Using Wafer Stacking and Via-last TSV

(シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
025278843
資料種別
記事
著者
青木 真由ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2014-01-29
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(420):2014.1.29
掲載ページ
p.43-46
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紙

資料種別
記事
タイトル
3D Integrated CMOS Device by Using Wafer Stacking and Via-last TSV
著者・編者
青木 真由
古田 太
朴澤 一幸 他
シリーズタイトル
シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)
著者標目
青木 真由
古田 太
朴澤 一幸
並列タイトル等
招待講演 ウェハ積層とVia-last型TSVを用いた三次元集積化CMOSデバイスの開発 ショウタイ コウエン ウェハ セキソウ ト Via-lastガタ TSV オ モチイタ サンジゲン シュウセキカ CMOS デバイス ノ カイハツ
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
113(420):2014.1.29
掲載巻
113
掲載号
420