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資料種別 記事・論文

招待講演 強い短チャネル効果耐性と闇値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET

金 相賢,横山 正史,中根 了昌 他

詳細情報

タイトル 招待講演 強い短チャネル効果耐性と闇値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET
著者 金 相賢
著者 横山 正史
著者 中根 了昌 他
シリーズ名 シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)
出版年 2014-01-29
別タイトル High Performance Sub-20-nm-Channel-Length Extremely-Thin Body InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFETs with High Short Channel Effect Immunity and Vth Tunability
件名(キーワード) InAs-OI MOSFETs
件名(キーワード) Tri-gate
件名(キーワード) Vth tunability
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
掲載巻 113
掲載号 420
掲載ページ 39-42
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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