低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価 (電子デバイス)

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低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価

(電子デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
025278058
資料種別
記事
著者
吉本 晋ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2014-01
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(378):2014.1.16・17
掲載ページ
p.79-84
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
吉本 晋
石原 邦亮
岡田 政也 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Characteristics of Vertical GaN schottky barrier diodes and Heterojunction-Field-Effect Transistors on Low-Dislocation-Density GaN substrates
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
113(378):2014.1.16・17
掲載巻
113
掲載号
378