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資料種別 記事・論文

AlGaN/GaN HFETサイドゲート効果の2次元デバイスシミュレーション

井川 裕介,李 根三,敖 金平 他

詳細情報

タイトル AlGaN/GaN HFETサイドゲート効果の2次元デバイスシミュレーション
著者 井川 裕介
著者 李 根三
著者 敖 金平 他
シリーズ名 マイクロ波
出版年 2014-01
別タイトル 2D Device Simulation of AlGaN/GaN HFETs Side-Gating Effect
件名(キーワード) AlGaN/GaN HFET
件名(キーワード) サイドゲート効果
件名(キーワード) 準位
件名(キーワード) TCAD
件名(キーワード) デバイスシミュレーション
件名(キーワード) Side-Gating Effect
件名(キーワード) Trap
件名(キーワード) Device simulation
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
掲載巻 113
掲載号 379
掲載ページ 47-52
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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