Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET (マイクロ波)

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Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET

(マイクロ波)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
025277499
資料種別
記事
著者
東脇 正高ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2014-01
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(379):2014.1.16・17
掲載ページ
p.35-39
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
東脇 正高
佐々木 公平
ワン マンホイ 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Depletion-mode gallium oxide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated by using Si-ion implantation
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
113(379):2014.1.16・17
掲載巻
113
掲載号
379