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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号113(376)-113(381):2014.1.10-2014.1.17
記事MOVPE再成長ソー...

MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET (マイクロ波)

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MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET

(マイクロ波)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
025277478
資料種別
記事
著者
金澤 徹ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2014-01
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(379):2014.1.16・17
掲載ページ
p.29-33
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書誌情報

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紙

資料種別
記事
タイトル
MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET
著者・編者
金澤 徹
三嶋 裕一
木下 治紀 他
シリーズタイトル
マイクロ波
著者標目
金澤 徹
三嶋 裕一
木下 治紀
並列タイトル等
InGaAs tri-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
113(379):2014.1.16・17
掲載巻
113
掲載号
379