SiC単結晶エピタキ...

SiC単結晶エピタキシャルウェーハの高品質化 (ワイドバンドギャップ材料の基礎研究の充実と新たな応用)

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SiC単結晶エピタキシャルウェーハの高品質化(ワイドバンドギャップ材料の基礎研究の充実と新たな応用)

国立国会図書館請求記号
Z15-243
国立国会図書館書誌ID
024932385
資料種別
記事
著者
大谷 昇
出版者
東京 : 応用物理学会
出版年
2013-10
資料形態
掲載誌名
応用物理 82(10):2013.10
掲載ページ
p.846-851
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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
大谷 昇
著者標目
並列タイトル等
Toward the realization of high quality SiC epitaxial wafers
タイトル(掲載誌)
応用物理
巻号年月日等(掲載誌)
82(10):2013.10
掲載巻
82
掲載号
10