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資料種別 記事・論文

SiC単結晶エピタキシャルウェーハの高品質化

大谷 昇

詳細情報

タイトル SiC単結晶エピタキシャルウェーハの高品質化
著者 大谷 昇
シリーズ名 ワイドバンドギャップ材料の基礎研究の充実と新たな応用
出版年 2013-10
別タイトル Toward the realization of high quality SiC epitaxial wafers
件名(キーワード) silicon carbide
件名(キーワード) single crystal wafer
件名(キーワード) crystal growth
件名(キーワード) wafering
件名(キーワード) epitaxial thin film growth
件名(キーワード) dislocation
件名(キーワード) stacking fault
件名(キーワード) wafering
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 03698009
掲載誌情報(ISSNL形式) 03698009
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000002415-00
掲載誌名 応用物理
掲載巻 82
掲載号 10
掲載ページ 846-851
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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