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資料種別 記事・論文

熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術

渡部 平司,チャンタパン アタウット,中野 佑紀 他

詳細情報

タイトル 熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術
著者 渡部 平司
著者 チャンタパン アタウット
著者 中野 佑紀 他
シリーズ名 シリコン材料・デバイス
出版年 2013-06-18
別タイトル Unusual Generation and Elimination of Mobile Ions in Thermally Grown Oxides in SiC-MOS Devices
件名(キーワード) シリコンカーバイド
件名(キーワード) MOSデバイス
件名(キーワード) 熱酸化膜
件名(キーワード) 可動イオン
件名(キーワード) 水素アニール
件名(キーワード) Silicon carbide
件名(キーワード) MOS device
件名(キーワード) Thermal oxide
件名(キーワード) Mobile ion
件名(キーワード) Hydrogen annealing
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
掲載巻 113
掲載号 87
掲載ページ 87-90
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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