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資料種別 記事・論文

SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術

細井 卓治,東雲 秀司,柏木 勇作 他

詳細情報

タイトル SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術
著者 細井 卓治
著者 東雲 秀司
著者 柏木 勇作 他
シリーズ名 シリコン材料・デバイス
出版年 2013-06-18
別タイトル Implementation of High-k Gate Dielectrics in SiC Power MOSFET
件名(キーワード) シリコンカーバイド (SiC)
件名(キーワード) パワーMOSFET
件名(キーワード) 高誘電率 (high-k) ゲート絶縁膜
件名(キーワード) アルミニウム酸窒化膜 (AlON)
件名(キーワード) Silicon carbide (SiC)
件名(キーワード) power MOSFET
件名(キーワード) high-permittivity (high-k) gate dielectrics
件名(キーワード) Aluminum oxynitride (AlON)
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
掲載巻 113
掲載号 87
掲載ページ 77-80
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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