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資料種別 記事・論文

SiC電界誘起抵抗変化型不揮発性メモリ : MIS型およびpnダイオード型メモリ

須田 良幸,小松 辰己,山口 伸雄 他

詳細情報

タイトル SiC電界誘起抵抗変化型不揮発性メモリ : MIS型およびpnダイオード型メモリ
著者 須田 良幸
著者 小松 辰己
著者 山口 伸雄 他
シリーズ名 シリコン材料・デバイス
出版年 2013-06-18
別タイトル SiC Electric-Field-Induced Resistive Nonvolatile Memory : MIS and pn-Diode Type Memories
件名(キーワード) 不揮発性メモリ
件名(キーワード) 抵抗変化型メモリ
件名(キーワード) RRAM
件名(キーワード) 欠陥凖位
件名(キーワード) ダイオード
件名(キーワード) 金属-絶縁体-半導体
件名(キーワード) Nonvolatile Memory
件名(キーワード) Resistive Memory
件名(キーワード) Defect States
件名(キーワード) Diode
件名(キーワード) Metal Insulator Semiconductor
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
掲載巻 113
掲載号 87
掲載ページ 67-70
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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