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資料種別 記事・論文

SiOx/TiO₂積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価

大田 晃生,福嶋 太紀,牧原 克典 他

詳細情報

タイトル SiOx/TiO₂積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価
著者 大田 晃生
著者 福嶋 太紀
著者 牧原 克典 他
シリーズ名 シリコン材料・デバイス
出版年 2013-06-18
別タイトル Resistive Switching Properties of SiOx/TiO₂ Multi-Stack in Ti-electrode MIM Diodes
件名(キーワード) 抵抗変化型メモリ (ReRAM)
件名(キーワード) Si酸化物
件名(キーワード) 化学結合状態
件名(キーワード) 電気抵抗スイッチング特性
件名(キーワード) Resistive Random Access Memories (ReRAMs)
件名(キーワード) Si Oxide
件名(キーワード) Chemical Bonding Features
件名(キーワード) Resistance Switching Property
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
掲載巻 113
掲載号 87
掲載ページ 61-66
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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