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資料種別 記事・論文

ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化

山本 圭介,佐田 隆宏,王 冬 他

詳細情報

タイトル ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化
著者 山本 圭介
著者 佐田 隆宏
著者 王 冬 他
シリーズ名 シリコン材料・デバイス
出版年 2013-06-18
別タイトル Mobility Enhancement for Ge p-MOSFET with Metal Source/Drain by Hf Introduction into Gate Stack
件名(キーワード) Ge
件名(キーワード) 金属/Geコンタクト
件名(キーワード) メタル・ソース/ドレイン
件名(キーワード) MOSFET
件名(キーワード) metal/Ge contact
件名(キーワード) metal source/drain
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
掲載巻 113
掲載号 87
掲載ページ 29-32
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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